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CNET中国·ZOL报道：昨天，NAND闪存芯片的业界领导者三星公司发布了最新的容量为2GB的“ONE NAND”闪存芯片。三星表示新的闪存芯片采用60纳米制程生产，比之今年四月份采用70纳米制程生产的“ONE NAND”闪存芯片，除了容量的增加之外，无论是读取速度还是写入速度均有大幅度的提高。

三星最新的容量为2GB的“ONE NAND”闪存芯片

新型“ONE NAND”闪存写入速度为17MB/秒、读取速度则达到了108MB/秒。三星还透露说，如果将8块这样的闪存连接在一起，其写入速度可以达到136MB/秒。不过，目前还不清楚三星何时将这种芯片投入量产，毕竟70纳米才刚刚投入量产不久。

三星闪存芯片速度对比